韩国媒体mk.co报道称，三星电子前高管因涉嫌将三星电子半导体技术泄露给中国，一审被判处有期徒刑7年，并被法院逮捕，这是迄今为止技术泄露罪刑罚最重的一次。

首尔中央地方法院第25刑事部（首席法官池贵渊）2月19日以违反《工业技术泄漏预防和保护法》的罪名判处金某有期徒刑7年，并处以2亿韩元罚款。一同受审的4名被告分别于10月和11月被判处2年6个月有期徒刑。这一一审判决是技术泄漏案有史以来最长的刑期。迄今为止，5年有期徒刑是技术泄漏案有史以来最长的刑期。

法院承认，被告的技术泄露给当地半导体公司造成了巨大损失。“被告非法获取并窃取了18纳米DRAM工艺的信息，这是一项核心的国家技术，这极大地影响了受影响的公司和国家竞争力，”法院表示。“考虑到三星电子等国内半导体公司的开发和量产成本，以及中国竞争对手成功开发和量产类似产品，受损公司遭受的损失将是巨大的。”

据检察机关透露，因技术泄露事件给三星电子造成的损失每年至少达4.5万亿韩元至10.5万亿韩元，并查明三星电子在2012年4月至2016年2月期间，共投资1.6万亿韩元用于开发18纳米DRAM。

（来源：mk.co）